東莞市副市長張科3月22日松山湖會見了中國科學院院士、中科院半導體研究所所長李樹深一行。張科表示，培育一個新的產業關鍵是要培育龍頭企業，希望目前莞研發十分成熟的碳化硅（SiC）外延晶片能盡快實現規模化量產。

　　五年內實現超百億產值

　　據介紹，東莞市天域半導體科技有限公司（以下簡稱“天域半導體”）是全國首家進行碳化硅（SiC）外延晶片技術研發、生產和銷售的企業，天域半導體與中科院半導體研究所合作研發的第三代半導體碳化硅（SiC）外延晶片技術目前已非常成熟，項目預計五年內實現超百億元的產值。

　　據天域半導體董事長歐陽忠介紹，新一代碳化硅半導體材料與器件新材料、新能源、節能環保以及武器裝備、國家安全等國家重大領域具有重要的戰略地位，而最新技術的第三代碳化硅外延晶片市場需求量巨大，天域半導體保守估計五年內實現超百億產值?！埧茖λ缮胶髽I具有的戰略眼光和市場敏銳度給予高度評價。

　　進軍碳化硅器件研發生產

　　李樹深介紹，國內碳化硅器件需求占全球市場的50%，但是目前完全依賴進口，沒有自主的生產技術，像天域半導體生產的碳化硅外延片需要出口到國外，由國外生產成器件再出口給中國，這就使得國內一些重大關鍵裝備上受制于人。

　　據悉，過去幾年內，天域半導體引進了廣東省第三代半導體碳化硅材料和器件研發及產業化創新科研團隊，還從美國、德國、匈牙利等國家引進了一批頂尖的生產設備，并培養了一大批技術人才，目前碳化硅器件產業化制造技術的研發已全面展開。

　　李樹深建議，對于器件產業化技術進行獨立研發不是最好的選擇，而是要聯合下游對于該類器件具有重要需求的企業一起進行開發，這樣一來技術和市場會更有保證。

　　對此，張科表示，如果能碳化硅器件上實現進口替代，將具有十分重要的意義，希望企業能夠積極開展國家級重大科技專項和高新技術企業的申報工作，也力爭成為該產品國際標準的制定者。