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意法半導體(ST)發布碳化硅太陽能解決方案

關鍵詞 意法半導體 , 碳化硅 , 太陽能|2012-09-24 10:08:53|來源 EEWORLD
摘要 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)發布碳化硅產品創新成果,助力系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。意法半導體已于近日在美國佛羅里達州舉...

  意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)發布碳化硅產品創新成果,助力系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。意法半導體已于近日在美國佛羅里達州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會(Solar Power International 2012)上展出了1200V碳化硅二極管。該產品可取代DC-DC升壓轉換器和DC-AC逆變器所用的普通二極管,把太陽能光伏板模塊的低壓輸出電能轉換成高質量的電網電壓AC電能。

  作為太陽能發電用二極管的基本材料,碳化硅二極管的各項技術指標均優于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術。碳化硅二極管導通與關斷狀態的轉換速度非常快,而且沒有普通雙極二極管技術開關時的反向恢復電流。在消除反向恢復電流效應后,碳化硅二極管的能耗降低70%,能夠在寬溫度范圍內保持高能效,并提高設計人員優化系統工作頻率的靈活性。
  意法半導體的1200V碳化硅二極管試驗證明,即便負載和開關頻率很高,逆變器總體能效仍然提高2%。在逆變器的額定生命周期內,2%的能效改進可讓家庭太陽能發電系統和大功率發電站節省數兆瓦小時的寶貴電能。意法半導體還發布了碳化硅MOSFET項目的最新進展。意法半導體的碳化硅MOSFET將是世界首批商用碳化硅MOSFET。因為有諸多優點,預計將會取代太陽能逆變器中的高壓硅絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)。
  除了比IGBT降低50%的能耗外,碳化硅MOSFET無需特殊的驅動電路,且工作頻率更高,這讓設計人員能夠盡可能減少電源元器件數量,降低電源成本和尺寸,并提高能效。碳化硅MOSFET和二極管的其它應用包括計算機房和數據中心用的大型電源和電動汽車的馬達驅動電子系統。
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