納米碳管的電學性能包括導電性能和超導特性兩個部分，其中前一部分研究得最多。理論與實驗均證實納米碳管的導電性質與其微結構有著密切的關系。早期的實驗發現，一些納米碳管應是金屬或窄能隙的半導體。1996年，Langer等人開始用兩電極法研究單根多壁納米碳管的輸運特性，而Ebbesen等人為了避免樣品的不良電接觸，改用四電極法測量了單根多壁納米碳管的電學特性。從單根多壁納米碳管的電阻R來看，它們的差別確實很大，有些納米碳管屬于金屬，而另一些屬于半導體。一些研究組的實驗顯示，納米碳管的電學性能與螺旋度有密切關聯。