摘要 1.成膜速率提高(電離率高,放電電流大)。2.基體溫升降低。3.磁控濺射的空間局限于靶與基體之間,粒子到達基體的準確度高,不需要的部位沒有。因此真空容器容易清洗,操作方便。4.膜層...
1. 成膜速率提高(電離率高,放電電流大)。 2. 基體溫升降低。 3. 磁控濺射的空間局限于靶與基體之間,粒子到達基體的準確度高,不需要的部位沒有。因此真空容器容易清洗,操作方便。 4. 膜層致密,并且與基體結合力強。這是因為磁控濺射產生的靶原子的能量高。 |
1. 成膜速率提高(電離率高,放電電流大)。 2. 基體溫升降低。 3. 磁控濺射的空間局限于靶與基體之間,粒子到達基體的準確度高,不需要的部位沒有。因此真空容器容易清洗,操作方便。 4. 膜層致密,并且與基體結合力強。這是因為磁控濺射產生的靶原子的能量高。 |
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