申請日: 2015.06.29
國家/省市: 中國濟(jì)南(88)
公開號: 104926313A
公開日: 2015.09.23
主分類號: C04B 35/573(2006.01)
分類號: C04B 35/573(2006.01); C04B 35/65(2006.01)
申請人: 山東大學(xué)
發(fā)明人: 張玉軍; 李其松; 龔紅宇; 孫海濱; 張衍雙
代理人: 張宏松
代理機(jī)構(gòu): 37219
申請人地址: 山東省濟(jì)南市歷下區(qū)經(jīng)十路17923號
摘要: 本發(fā)明涉及一種高熱導(dǎo)率反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷材料及其制備方法,它由以下質(zhì)量百分比的原料組成,碳化硅50-90wt.%,石墨烯0.5-12.5wt.%,炭粉5-15wt.%,表面活性劑1-3wt.%,分散劑0.5-2.5wt.%,粘結(jié)劑0.3-1.5wt.%;上述原料經(jīng)混合、成型、真空條件下于溫度1650-1800℃反應(yīng)燒結(jié)8~12小時(shí),制得。本發(fā)明制得的SiC陶瓷材料硬度高、熱膨脹系數(shù)低、熱導(dǎo)率高,材料性能更加均勻、一致,提高了材料的服役可靠性。
主權(quán)利要求 1.一種高熱導(dǎo)率反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷材料,由以下質(zhì)量百分比的原料組成,碳化硅50-90wt.%,石墨烯0.5-12.5wt.%,炭粉5-15wt.%,表面活性劑1-3wt.%,分散劑0.5-2.5wt.%,粘結(jié)劑0.3-1.5wt.%;各組分質(zhì)量百分比之和為100%,上述原料經(jīng)混合、成型、真空條件下于溫度1650-1800℃反應(yīng)燒結(jié)8~12小時(shí),制得。